| 9：30 |
開会・挨拶
相澤 益男 東京工業大学 学長
和田敏美 経済産業省 情報通信技術企画調査官
西川泰蔵 新エネルギー・産業技術総合開発機構 電子・情報技術開発部長
中村 哲夫 富士通研究所 常務取締役 |
| 10：00 |
『「次世代強誘電体メモリの研究開発」プロジェクトの成果概要』
石原 宏 〔東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター〕 |
| 11：00 |
（招待講演）
『三星電子における不揮発性メモリの研究開発』
Kinam Kim (Samsung Electronics) |
| 12：00 |
休憩 |
| 13：00 |
『MFIS構造体での絶縁層の機能と向上』
水谷惟恭、篠崎和夫、脇谷尚樹、木口賢記
〔東京工業大学 大学院理工学研究科〕 |
| 13：20 |
『原料溶液の構造制御による強誘電体薄膜の高品質化』
加藤 一実 〔産業技術総合研究所 セラミックス研究部門〕 |
| 13：40 |
『強誘電体ゲートトランジスタの作製と評価』
徳光 永輔 〔東京工業大学 精密工学研究所〕 |
| 14：00 |
『シリケート添加ゾルゲルPZT薄膜の開発』
田村 哲朗 〔新機能素子研究開発協会（富士通研究所）〕 |
| 14：15 |
『下部電極用窒化物バリア層、ならびにMo、W添加強誘電体膜の形成と評価』
大木 博 〔新機能素子研究開発協会（シャープ）〕 |
| 14：30 |
『RFマグネトロンスパッタ法によるSi添加SrBi2Ta2O9強誘電体薄膜の作製』
菊地 真 〔新機能素子研究開発協会（アルバック）〕 |
| 14：45 |
『強誘電体薄膜形成用新規ゾルゲル溶液の開発』
竹石 順司 〔新機能素子研究開発協会（関東化学）〕 |
| 15：00 |
休憩 |
| 15：20 |
『ビスマス層状強誘電体の強誘電性設計』
舟窪 浩 〔東京工業大学 大学院総合理工学研究科〕 |
| 15：40 |
『配向制御SrBi2Ta2O9膜を用いたMFISダイオードFETの研究（平成11年度−13年度）とその後の研究の一展開』
酒井 滋樹 〔産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門〕 |
| 16：00 |
『MOCVD法を用いた強誘電体メモリ用ルテニウム電極の作製と評価』
古川 泰助 〔新機能素子研究開発協会（三菱電機）〕 |
| 16：15 |
『HfO2系バッファ層を用いたMFIS構造の作製と評価』
鉾 宏真〔新機能素子研究開発協会（富士通研究所）〕、
朴 炳垠〔新機能素子研究開発協会〕 |
| 16：30 |
『高密度極薄Si3N4バッファ層を用いたMFISトランジスタの作製と評価』
藤崎 芳久 〔新機能素子研究開発協会（日立製作所）〕 |
| 16：45 |
『1T2C型強誘電体メモリの設計と評価』
石川 徹 〔新機能素子研究開発協会（三洋電機）〕 |
| 17：00 |
『強誘電体デバイスの応用〜不揮発性フリップフロップを用いた不揮発性カウンタの設計〜』
淵上 貴昭〔新機能素子研究開発協会（ローム）〕 |
| 17：15 |
（招待講演）
『ETRIにおけるトランジスタ型強誘電体メモリの研究開発』
尹 聖民〔韓国電子通信研究院、基盤技術研究所〕 |
