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●FEDミーティング

「パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開発」
プロジェクト最終成果報告会

共催：財団法人　新機能素子研究開発協会
　　　　独立行政法人　産業技術総合研究所
後援：独立行政法人　新エネルギー・産業技術総合開発機構（予定）

開催日：平成21年8月26日（水）13時00分～17時40分
場所：　虎ノ門パストラル　新館　5階
　発表講演会場 ローレル
　ポスターセッション会場マグノリヤ

1.開会・挨拶
13:00～13:05		吹譯　正憲		（財）新機能素子研究開発協会
13:05～13:10			（予定）	(独)産業技術総合研究所
13:10～13:20			（予定）	経済産業省商務情報政策局
13:20～13:30			（予定）	NEDO　電子・情報技術開発部
2.「パワーエレクトロニクスインバータ基盤技術開発」プロジェクトの成果概要
13:30～13:45			荒井　和雄	(独)産業技術総合研究所
3.「高効率・高密度インバータユニット技術開発」
13:45～14:15	概要とSiCデバイス開発		大森　達夫	三菱電機㈱
14:15～14:30	SiCインバータ開発		大井　健史	三菱電機㈱
4.「効率・高密度インバータ革新的高度化基盤技術開発」　概要
14:30～14:45			奥村　元	(独)産業技術総合研究所
5.「SiC基板／エピ膜の評価と結晶欠陥の解析」
14:45～15:05			松畑　洋文	(独)産業技術総合研究所
6.「インバータ大容量化及び信頼性向上基盤技術」
15:05～15:25			福田　憲司	(独)産業技術総合研究所
15:25～15:40	【休憩】
7.「インバータ高パワー密度化基盤技術」
15:40～16:00			大橋弘通	(独)産業技術総合研究所
8.「SiCデバイス応用・普及における今後の課題」
6:00～16:20			清水　肇	（財）新機能素子研究開発協会
9.ポスターセッション
16:30～17:40	詳細

会費：無料

＜お申込＞ 定員（約120名）になりましたので、申込を締め切らして頂きます。。

　問い合わせ先：ＴＥＬ（03）5512－7281