02　FED FORUM

●FEDミーティング

開催日：	２００７年５月２４日（木）１３：００～１８：００
場所：	虎ノ門パストラル　（本館８Ｆしらかば）（東京都港区虎ノ門４－１－１）

共済：財団法人新機能素子研究開発協会
      独立行政法人産業技術総合研究所
後援：経済産業省
       独立行政法人　新エネルギー・産業技術総合開発機構

1.開会挨拶
13：00 13：05 13：15		入野　睦則（財）新機能素子研究開発協会専務理事土本　一郎　経産省商務情報政策局参事官　富田　健介　NEDO電子・情報技術開発部長
2.「窒化物半導体を用いた低消費電力型高周波デバイスの開発」プロジェクトの成果概要
13：25		名西　やすし（立命館大学理工学部）
3.高周波デバイス設計・作製技術の開発成果
13：55		宮本　広信（NEC ナノエレクトロニクス研究所）
4.高周波デバイス用材料ウエハー技術の開発成果
14：30		平田　宏治（豊田合成開発部）
5.高周波デバイス化プロセス･評価技術の開発成果
15：05		鈴木　彰　（立命館大学 COE推進機構）
15:40		奥村　元　（産総研　パワーエレクトロニクス研究センター）
16:15		休憩
6.ポスターセッション　16:35～18：00
1	GaNデバイス・プロセス技術		安藤裕二 (NEC)
2	2GHz帯GaN増幅器技術		分島彰男 (NEC)
3	5GHz帯GaNトランジスタ技術		岡本康宏 (NEC)
4	準ミリ波帯GaNトランジスタ技術		村瀬康裕 (NEC)
5	AlGaN/GaN HFETのゲートリーク電流低減		小嵜　正芳（豊田合成）
6	AlGaN/GaN HFETにおけるGaNバッファ層高耐圧化		三輪　浩士（豊田合成）
7	AlGaN/GaN　HEMT構造に於けるシート抵抗の経時変化		城川潤二郎 (立命館大学）
8	AlGaN/GaN　HEMTのゲートリーク機構解析		山田　朋幸（沖電気工業）
9	AlGaN/GaNショットキゲートのリーク電流シミュレーション		土屋　忠厳（日立電線）
10	平面KFM法によるAlGaN/GaN　HFETの電流コラプス解析		土屋　忠厳（日立電線）
11	断面KFM法によるAlGaN/GaN　HFETの電位分布過渡特性解析		神谷　慎一（古河電気工業）
12	AlGaN/GaNヘテロ構造のGaNバッファ層リーク電流機構の解析		檜木啓宏（立命館大学）
13	マイクロラマン分光測定と熱電気シミュレーションによる AlGaN/GaN HEMT動作時の温度分布解析		小坂　賢一（立命館大学）
14	容量DLTSによるSiC基板上GaN中の深い準位の深さ方向分布の評価		黒内　正仁（立命館大学）
15	Effects of the vicinal substrate usage on the improvement of the III-nitride films and their heterostructure property		X.Q. Shen （産総研）
16	分光エリプソメトリーによるAlGaN/GaN膜の評価		彦坂憲宣（産総研）
17	３インチウエハ内ウエハ/デバイス評価（X線トポ,デバイス電気特性,EBIC,CL）		彦坂憲宣（産総研）
18	２ＤＥＧ移動度のテンプレート特性依存性		清水三郎（アルバック）
19	Influence of macro defects in SiC substrate on AlGaN/GaN HEMT DC characteristics		佐沢洋幸（住友化学）
20	Evaluation of AlGaN/GaN-HFET with HfAlO gate insulator		佐沢洋幸（住友化学）
21	AlGaN/GaN-HEMT電流コラプス現象の電流ICTS測定		土屋忠厳（日立電線）
22	水素エッチングを施したSiC基板上へのGaN成長		古田　啓（アルバック）
23	SiC微傾斜基板及び擬似AｌGaNバリア層の適用による高Al組成HEMT構造の作製		古田　啓（アルバック）

懇親会（本館８Ｆ　けやき）１８：００～

参加料：無料　

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