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45-nmノード以下の救世主になるか、SOIGeOI技術
３つの欧州リーダー、IMEC、Soitec SA 、Umicore Groupが連携してGeOI(Ge
on insulator)技術とそれを使ったデバイスの開発を始めることを、7月14日に各機関が発表した。
（IMEC expands sub-45nm research with two new programs
http://www.imec.be/ovinter/static_general/start_en.shtml）
シリコンでの45-nmノード以下への挑戦は世界中で既に始まっているが、多くの障壁、例えば、チャネル移動度の低下、ゲート・リークなど技術的課題が立ちはだかっている。
この共同研究によって基板材料そのものをシリコン(Si)からゲルマニューム(Ge)に代える大胆な計画に挑戦する。
電子、正孔共に移動度が大きいこと、注入不純物の活性化温度が低いこと、プロセス温度を下げられること等々、Siに比べて魅力的な性質をGeは備えている。
Umicore Groupは直径200mmと300mmのGeウエハを作成し、Soitec SAは自社のSmart
Cut プロセスを使ってGe薄層をウエハから絶縁基板上に移し、GeOI構造のウエハ状に仕上げる。
これにIMECがhigh-k膜、メタルゲートなどの技術を導入して、デバイスを作る。
Gilbert Declerck氏（IMECのCEO）は次のように語っている。「45-nmノード以下のスケーリング挑戦を克服するためには、革新的な方法が必要なことは明らかである。チャネル移動度とゲート・リークなどの課題を越えるための有力な候補として、GeOI技術に挑戦する」と。
（コメント）
昨年のIEDMで大御所のSaraswat教授が率いるChi On Chui（Stanford University）達のグループが発表したGe
MOSFETの研究は今でも印象に残る。（このグループはDARPAからの資金支援を得ている）
ZrO2ゲート絶縁膜、白金ゲート、プロセス温度＜400Cなど特徴ある技術が集約されているものの、その時は、取りあえずGeの特徴を活かしたデモンストレーション的なものと理解したが、今回の発表と合わせ、「もしかして・・・・」という気にさせられる。
最大の課題はGeとHigh-k絶縁膜の界面の問題であると思われる。それは何もGeに限った問題ではなく、SiでもHigh-k絶縁膜の導入に合わせ、にわかに顕在化してきた研究領域である。
理論、実験、分析各方面の研究者が注目し始めていることは幸いである。
一度後退した材料が、周辺の技術変化に乗じて再登場する、この神の悪戯に感謝したい。
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