●新規研究開発テーマ（H14〜18）

概要 研究内容 応用・技術 研究体制 成果

概要・国家戦略

従来型の半導体による高周波デバイスを用いては、その材料物性からくる制約のためデバイス性能に限界が見えており、実用的なシステムを構築する事はできない。
そこで、材料物性に優れたワイドギャップ化合物半導体材料を用いた材料基盤技術、デバイス化プロセス基盤技術、及びその特性を有効に利用できるシステム応用技術の開発が重要となる。
このような新材料導入を伴う技術開発は、材料からデバイス化までのプロセスを一新することになり、電子材料技術から電子デバイス技術までの緊密な連携が必須である。
このような背景から、21世紀の高度情報社会において要請される、超高速・大容量・多機能の情報処理を担うワイヤレス通信技術に資するため、従来デバイスの性能を大きく凌駕する高出力高周波デバイスの基盤技術を確立すると共に、その成果を迅速に我が国の産業競争力強化に役立てることを目的とする。

高周波デバイス技術分野

HAPS-High Altitude Platform System MMAC-Mulimedia Mobile Access Communication

数GHzから数10GHzの帯域で、高効率で動く高出力高周波デバイスを実現するために、窒化物半導体を用いた低消費電力高周波デバイスの開発が必要であり、準ミリ波、ミリ波領域に至る高周波領域で特徴を発揮する窒化物半導体の材料ウエハ作製からデバイス化プロセス、デバイスモジュール作製までの研究開発を一貫して行い、そこにブレークスルーをもたらす新たな要素技術を確立して、数GHzから数10GHzの帯域において高効率、高出力、低歪み等の特性を併せ持つ革新的高周波デバイスの開発を平成１８年度（２００６年度）までに達成する。

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