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●新規研究開発テーマ（H14）
| 安全で快適な社会の実現のために、高速ネットワークにつながった高機能電子情報通信機器がますます重要となる。
電話、オーディオ、ビデオ、翻訳機などの多様で高度な機能を単一の超小型コンピュータで実現するため、音楽や映像配信にも対応可能な不揮発性高速大容量メモリや不揮発性論理素子が不可欠である。 |
概要
不揮発性磁気抵抗メモリ、MRAM（Magnetoresistive Random Access
Memory）は、スピン現象を応用したスピンメモリである。 スピン依存電気伝導が引き 起こすトンネル磁気抵抗(TMR)効果を用いたものであり、無限回数の書換え、TMR素子の微細化や積層による超ギガビット級の大容量化、高速動作、低電圧動作などが可能などの優れた能力を持っている。
本プロジェクトは、産官学の連携により、サイエンスとエンジニアリングを一体化した研究開発体制により、MRAMの高速動作と超ギガビット級大容量化と早期実用化をめざす。
そのために高品質TMR素子技術、低電力磁化反転技術、磁性体微細加工技術 、集積化プロセス技術などの基盤技術を開発する。
本研究開発は、磁気工学と半導体工学を融合したスピントロニクスという先端技術分野の開拓を通して、革新的な不揮発性論理素子などの新機能デバイスの基盤技術が形成され、情報通信分野における国際競争力強化に大きく寄与する。
概念図
研究内容→
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