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研究開発期間：２００６〜２００８年度
情報家電の普及や通信需要の拡大に対処する電気エネルギーの高効率利用の実現、及びハイブリッド自動車や産業用の様々なモータ制御、家電製品の電源制御など、我が国の重要産業の国際競争力強化と省エネルギーを図るためには、その基盤となるパワーエレクトロニクスの研究開発が必要である。
現行のＳｉによるパワーデバイスでは耐電圧、オン抵抗、許容動作温度、スイッチング速度などが理論限界に達しており、材料物性としてＳｉを超える優れた性質を持つＳｉＣを用いたワイドギャップ半導体デバイス・ユニットの実用化が切望されている。
ＳｉＣインバータは2020年には原発10基分の省エネ効果が期待される。 |
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